首页>STB43N60DM2>规格书详情
STB43N60DM2数据手册ST中文资料规格书
STB43N60DM2规格书详情
描述 Description
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge and time (Qrr, trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB43N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.093
- Drain Current (Dc)_max(A)
：34
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：56
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：120
- Qrr_typ(nC)
：600
- Peak Reverse Current_nom(A)
：10.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
32360 |
ST/意法全新特价STB43N60DM2即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-263-3 |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-263-3 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ST |
25+ |
300 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
原厂封装 |
5000 |
ST代理原盘原标,优势出可订货! |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
D2PAK |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 |
