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STB40N60M2中文资料N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB40N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB40N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.088
- Drain Current (Dc)_max(A)
：34
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：57
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3300 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
D2PAK |
990000 |
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ST |
1414+ |
TO263 |
50 |
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ST/意法 |
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NA |
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ST |
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TO263 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
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ST |
NA |
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ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
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原装现货,实单价优 |
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