STB46NF30中文资料N沟道300 V、0.063 Ohm典型值、42 A STripFET(TM) II功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB46NF30规格书详情
描述 Description
These Power MOSFETs have been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the devices suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.
特性 Features
• Exceptional dv/dt capability
• 100% avalanche tested
• Low gate charge
技术参数
- 制造商编号
：STB46NF30
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：300
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.075
- Drain Current (Dc)_max(A)
：45
- PTOT_max(W)
：220
- Qg_typ(nC)
：84
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