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STB28NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
Intrinsic fast-recovery body diode
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 型号：
STB28NM60ND
- 制造商：
STMicroelectronics
- 功能描述：
N-CHANNEL 600 V, 0.120 OHM TYP., 24 A FDMESH(TM) II POWER MO - Tape and Reel
- 功能描述：
N-CHANNEL 600 V, 0.120 OHM TYP., 24 A FDMESH(TM) II POWER MO - Cut TR(SOS)
- 功能描述：
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
- 功能描述：
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
- 功能描述：
600V, 0.120 OHM, 24A, POWERFET W/ FAST DIODE, N-CHANNEL, D2PAK
- 功能描述：
Single N-Channel 600 V 0.15 Ohm 190 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
- 功能描述：
Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
NA |
1000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
2000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-263 |
1000 |
只做原装进口!正品支持实单! |
询价 | ||
ST/ |
22+23+ |
TO-263 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO263 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3671 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |
