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STB28N60DM2中文资料N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET,D2PAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STB28N60DM2

功能描述

N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET,D2PAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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STB28N60DM2规格书详情

描述 Description

These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. They offer very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

特性 Features

• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

技术参数

  • 制造商编号

    :STB28N60DM2

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :D2PAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.16

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :21

  • PTOT_max(W)

    :190

  • Qg_typ(nC)

    :34

  • Features

    :Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :140

  • Qrr_typ(nC)

    :500

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :7.4

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