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STB18N65M5中文资料PDF规格书

STB18N65M5
厂商型号

STB18N65M5

功能描述

N-channel 650 V, 0.198 廓 typ., 15 A MDmesh??V Power MOSFET in D짼PAK and DPAK packages

文件大小

1.02109 Mbytes

页面数量

18

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-17 20:00:00

STB18N65M5规格书详情

Description

These devices are N-channel Power MOSFETs based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting products offer extremely low on-resistance, making them particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.

Features

• Extremely low RDS(on)

• Low gate charge and input capacitance

• Excellent switching performance

• 100 avalanche tested

Applications

• Switching applications

产品属性

  • 型号:

    STB18N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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