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STB18N60M2中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

STB18N60M2

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

369.77 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 16:05:00

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STB18N60M2规格书详情

FEATURES

· Drain Current -ID= 13A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.28Ω(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

· Switching

· LLC converters, resonant converters

产品属性

  • 型号:

    STB18N60M2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    POWER MOSFET - Tape and Reel

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V D2PAK

  • 功能描述:

    STB18N60M2 Series 600 V 13 A 280 mOhm N-channel Power MOSFET - TO-263-3

  • 功能描述:

    N-channel 600 V, 0.255

  • 功能描述:

    N-channel 600 V, 0.255 ?X typ., 13 A MDmesh II Plus? low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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