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SSS2N60A	文件：267.23 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 mA (Max.) @ VDS= 600V Lower RDS(ON) : 3.892 W (Typ.) 文件：267.23 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
SSS2N60B	文件：856.96 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in th 文件：856.96 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
SSS2N60A	文件：264.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：264.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SSS2N60B	文件：264.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：264.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SSS2N80A	文件：271.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：271.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SSS2N80A	文件：2.12113 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：2.12113 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSS2N60A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
SSS2N
功能描述：
MOSFET N-Ch/600V/1.3a/5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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