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SWI1N60C	文件：742.77 Kbytes Page：7 Pages	N-channelD-PAK/I-PAK/TO-92MOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWL1N60	文件：737.75 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TC1N60	文件：75.71 Kbytes Page：2 Pages	500mWDO-35HermeticallySealedGlassSmallSignalSchottkyDiodes	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TC1N60	文件：92.35 Kbytes Page：3 Pages	500mWDO-35HermeticallySealedGlassSmallSignalSchottkyDiodes	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TC1N60P	文件：92.35 Kbytes Page：3 Pages	500mWDO-35HermeticallySealedGlassSmallSignalSchottkyDiodes	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TC1N60P	文件：75.71 Kbytes Page：2 Pages	500mWDO-35HermeticallySealedGlassSmallSignalSchottkyDiodes	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TSD1N60	文件：1.08791 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM1N60	文件：174.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET VDS=600V ID=1A RDS(on),Vgs@10V,Ids@0.6A=8Ω GeneralDescription TheTSM1N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergy	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N60CH	文件：174.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET VDS=600V ID=1A RDS(on),Vgs@10V,Ids@0.6A=8Ω GeneralDescription TheTSM1N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergy	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N60CP	文件：174.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET VDS=600V ID=1A RDS(on),Vgs@10V,Ids@0.6A=8Ω GeneralDescription TheTSM1N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergy	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
SSP1N60B_Q
功能描述：
MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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