SSM6N56FE中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM6N56FE规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch×2
Generation:U-MOSⅦ-H
Internal Connection:Independent
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国
特性 Features
Drain current (Q1)  ID 0.8 A 
Drain-Source voltage (Q1)  VDSS 20 V 
Gate-Source voltage (Q1)  VGSS +/-8 V 
Drain current (Q2)  ID 0.8 A 
Drain-Source voltage (Q2)  VDSS 20 V 
Gate-Source voltage (Q2)  VGSS +/-8 V 
Power Dissipation  PD 0.25 W 
技术参数
- 制造商编号:SSM6N56FE 
- 生产厂家:Toshiba 
- Polarity:N-ch x 2 
- VDSS(V):20 
- VGSS(V):+/-8 
- ID(A):0.8 
- PD(W):0.15 
- Ciss(pF):55 
- Qg(nC):1.0 
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V:0.84 
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V:0.48 
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V:0.3 
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V:0.235 
- Number of pins:6 
- Surface mount package:Y 
- Package name(Toshiba):ES6 
- Generation:U-MOSⅦ-H 
- Width×Length×Height(mm):1.6 x 1.6 x 0.55 
- Package Size(mm^2):2.56 
- Drive voltage type:Low Voltage Gate Drive 
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