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SSM6N56FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current (Q1) ID 0.8 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V \nDrain current (Q2) ID 0.8 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V \nPower Dissipation PD 0.25 W \n; Polarity：N-ch×2\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nInternal Connection：Independent\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
SSM6N56FE	文件：205.47 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NZ；Package：ES6；High-Speed Switching	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
T6N56CA	文件：182.31 Kbytes Page：6 Pages	Surface-MountPAR®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Low-profilepackage-typicalheightof0.88mm •LeadlessDFNpackagewithside-wettable flankssuitableforcustomerAOI(Automatic OpticalInspection) •Idealforautomatedplacement •Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology •TJ=18	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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技术参数

Polarity：
N-ch x 2
VDSS(V)：
20
VGSS(V)：
+/-8
ID(A)：
0.8
PD(W)：
0.15
Ciss(pF)：
55
Qg(nC)：
1.0
=1.5V：
0.84
=1.8V：
0.48
=2.5V：
0.3
=4.5V：
0.235
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
ES6
Generation：
U-MOSⅦ-H
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
Package Size(mm^2)：
2.56
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

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更多SSM6N56FE供应商更新时间2025-7-29 8:31:00

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