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SSM6L61NU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch + P-ch\nInternal Connection：Independent\nComponent Product (Q1)：SSM6N61NU\nComponent Product (Q2)：SSM6P49NU\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current (Q1) ID 4 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V \nDrain current (Q2) ID -4 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS +/-12 V \nPower Dissipation PD 1 W ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM6L61NU	文件：431.77 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LL6；Package：UDFN6；Power Management Switches DC-DC Converters 文件：431.77 Kbytes 页数：12 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6L61NU,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-WDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
MT6L61AT	文件：83.4 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 文件：83.4 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polality：
N-ch + P-ch
VDSS(V)：
20/-20
VGSS(V)：
+/-8
ID：
Q1(A)
ID：
Q2(A)
PD(W)：
1.0
Ciss：
Q1(pF)Typ.
Ciss：
Q2(pF)Typ.
Qg：
Q1(nC)Typ.
Qg：
Q2(nC)Typ.
RDS(ON)：
Q1(Ω)VGS=2.5VMax
RDS(ON)：
Q1(Ω)VGS=4.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-2.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-4.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-10VMax
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
UDFN6
Generation：
U-MOSⅦ-H/U-MOSⅥ
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.0 x 0.75
Package Size(mm2)：
4.00
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

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更多SSM6L61NU供应商更新时间2026-1-17 11:03:00

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