SSM6L61NU,LF_分立半导体产品 晶体管-FETMOSFET-阵列-Toshiba Semiconductor and Storage

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  • 厂家型号:

    SSM6L61NU,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    分立半导体产品 晶体管-FETMOSFET-阵列

  • 封装外壳:

    6-WDFN 裸露焊盘

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2024-5-23 10:50:00

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原厂料号:SSM6L61NU,LF品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明:MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6

SSM6L61NU,LF是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装6-WDFN 裸露焊盘的SSM6L61NU,LF晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

  • 芯片型号:

    ssm6l61nu,lf

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 资料说明:

    MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    SSM6L61NU,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 和 P 沟道

  • FET 功能:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    20V

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    4A

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-UDFN(2x2)

  • 描述:

    MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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