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SSM6L61NU分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料

SSM6L61NU
厂商型号

SSM6L61NU

参数属性

SSM6L61NU 封装/外壳为6-WDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6

功能描述

Power Management Switches DC-DC Converters

丝印标识

LL6

封装外壳

UDFN6 / 6-WDFN 裸露焊盘

文件大小

431.77 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    SSM6L61NU,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 和 P 沟道

  • FET 功能:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    20V

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    4A

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-UDFN(2x2)

  • 描述:

    MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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