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SSM6L61NU数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF

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厂商型号

SSM6L61NU

参数属性

SSM6L61NU 封装/外壳为6-WDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

封装外壳

6-WDFN 裸露焊盘

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-10 21:16:00

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SSM6L61NU规格书详情

描述 Description

Polarity:N-ch + P-ch
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM6N61NU
Component Product (Q2):SSM6P49NU
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国

特性 Features

Drain current (Q1) ID 4 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V
Drain current (Q2) ID -4 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-12 V
Power Dissipation PD 1 W

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6L61NU

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polality

    :N-ch + P-ch

  • VDSS(V)

    :20/-20

  • VGSS(V)

    :+/-8

  • ID:Q1(A)

    :4.0

  • ID:Q2(A)

    :-4.0

  • PD(W)

    :1.0

  • Ciss:Q1(pF)Typ.

    :410

  • Ciss:Q2(pF)Typ.

    :480

  • Qg:Q1(nC)Typ.

    :3.6

  • Qg:Q2(nC)Typ.

    :6.74

  • RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax

    :0.045

  • RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax

    :0.033

  • RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax

    :0.076

  • RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax

    :0.056

  • RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax

    :0.045

  • Number of pins

    :6

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :UDFN6

  • Generation

    :U-MOSⅦ-H/U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.0 x 2.0 x 0.75

  • Package Size(mm2)

    :4.00

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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