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SSM6J808R	文件：377.6 Kbytes Page：9 Pages	丝印：KLA；Package：TSOP6F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) RDS(ON) = 35 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 38 mΩ (typ.) (VGS = -4 V) 文件：377.6 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J808R	文件：381.72 Kbytes Page：9 Pages	丝印：KLA；Package：TSOP6F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS 文件：381.72 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J808R_V01	文件：377.6 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) RDS(ON) = 35 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 38 mΩ (typ.) (VGS = -4 V) 文件：377.6 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J808RLF	文件：377.6 Kbytes Page：9 Pages	丝印：KLA；Package：TSOP6F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) RDS(ON) = 35 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 38 mΩ (typ.) (VGS = -4 V) 文件：377.6 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J808RLXGF	文件：377.6 Kbytes Page：9 Pages	丝印：KLA；Package：TSOP6F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) RDS(ON) = 35 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 38 mΩ (typ.) (VGS = -4 V) 文件：377.6 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J808RLXHF	文件：377.6 Kbytes Page：9 Pages	丝印：KLA；Package：TSOP6F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) RDS(ON) = 35 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 38 mΩ (typ.) (VGS = -4 V) 文件：377.6 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J808R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal MOSFET Application Scope：Power Management Switches\nFeature：Low drain-source on-resistance\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nInternal Connection：Single\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Drain-Source voltage VDSS -40 V \nGate-Source voltage VGSS -20/+10 V \nDrain current ID -7 A \nPower Dissipation PD 1.5 W ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
TSOP6F
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 0.8
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-40
ID(A)：
-7
=4.5V：
0.048
=10V：
0.035
Qg(nC)：
24.2
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	SSM6J808R	NK/南科功率	2025+	TSOP6F	986966	国产	询价
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更多SSM6J808R供应商更新时间2025-10-7 14:01:00

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