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SSM6J808R_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) RDS(ON) = 35 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 38 mΩ (typ.) (VGS = -4 V)

文件:377.6 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM6K504NU

TOSHIBA/东芝
UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM6K504NUMOS(场效应管)

TOSHIBA/东芝
UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSP20N60S

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TO-220

SUPER超致

SSP21110-620

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更多SSM6J808R_V01供应商 更新时间2025-10-11 15:30:00