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SSM6J808R中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM6J808R
厂商型号

SSM6J808R

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

丝印标识

KLA

封装外壳

TSOP6F

文件大小

377.6 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:00:00

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SSM6J808R规格书详情

1. Applications

• Power Management Switches

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) 4-V drive

(3) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

RDS(ON) = 35 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)

RDS(ON) = 38 mΩ (typ.) (VGS = -4 V)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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