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SSM3K76FS	文件：264.46 Kbytes Page：8 Pages	Marking：S5；Package：SSM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •High-SpeedSwitching Features (1)1.5-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=235mΩ(max)(@VGS=4.5V) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=480mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=840mΩ(max)(@VGS=1.5V) (3)Lowleakagecurrent	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K76CT	文件：320.85 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •High-SpeedSwitching Features (1)1.5-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=235mΩ(max)(@VGS=4.5V) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=480mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=840mΩ(max)(@VGS=1.5V) (3)Lowleakagecurrent	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K76MFV	文件：263.88 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •High-SpeedSwitching •AnalogSwitches Features (1)1.5Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance RDS(ON)=235mΩ(max)(@VGS=4.5V,ID=800mA) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=2.5V,ID=600mA) RDS(ON)=480mΩ(max)(@VGS=1.8V,ID=200mA) RDS(ON)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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Marking：S5；Package：SSM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •High-SpeedSwitching Features (1)1.5-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=235mΩ(max)(@VGS=4.5V) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=480mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=840mΩ(max)(@VGS=1.5V) (3)Lowleakagecurrent

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更多SSM3K76FS供应商更新时间2025-5-20 16:00:00

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