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SSM3J372R	文件：303.96 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJJ；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@V 文件：303.96 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J372R	文件：309.59 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJJ；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? 文件：309.59 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J372R_V01	文件：303.96 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@V 文件：303.96 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J372RLF	文件：303.96 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@V 文件：303.96 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J372RLXGF	文件：303.96 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@V 文件：303.96 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J372RLXHF	文件：303.96 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@V 文件：303.96 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J372R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Feature：High ESD protected\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID -6 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS -30 V \nGate-Source voltage VGSS -12/+6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
SOT-23F
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.4 x 0.8
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-30
ID(A)：
-6.0
=2.5V：
0.072
=4.5V：
0.05
=10V：
0.042
Qg(nC)：
8.2
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
京海半导体(深圳)有限公司	SSM3J372R	TOSHIBA/东芝	21+	SOT-23	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	SSM3J372R	TOSHIBA/东芝	2511	SOT-23F	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
万三科技(深圳)有限公司	SSM3J372R	TOSHIBA(东芝)	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	SSM3J372R,LF	Toshiba Semiconductor and Stor	2022+	SOT-23-3 扁平引线	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
天津市博通航睿技术有限公司	SSM3J372R,LF	TOSHIBA			3		询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	SSM3J372R,LXHF		24+	N/A	48000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
北京京北通宇电子元件有限公司	SSM3J372R,LXHF(B	TOSHIBA	24+	con	40	现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格	询价
深圳市德力诚信科技有限公司	SSM3J372R,LF	TOSHIBA	24+	con	2500	优势库存,原装正品	询价
深圳中芯器材有限公司	SSM3J372R,LF(B	TOSHIBA(东芝)	23+	SOT-23-3	185	三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SSM3J374R	TOSHIBA/东芝	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多SSM3J372R供应商更新时间2025-10-11 8:40:00

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