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SSM3J372R_V01	文件：303.96 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@V 文件：303.96 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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SSM3K333RMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA/东芝 -	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝
SSM3K341R	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA SOT23-3	TOSHIBA 东芝上传：深圳市科芯源微电子有限公司	TOSHIBA
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更多SSM3J372R_V01供应商更新时间2025-10-13 11:00:00