SSM3J372RLXGF中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	SSM3J372RLXGF
功能描述	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)
文件大小	303.96 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	Toshiba Semiconductor
企业简称	TOSHIBA【东芝】
中文名称	株式会社东芝官网
原厂标识
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更新时间	2025-8-4 23:00:00
人工找货	SSM3J372RLXGF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Applications

• Power Management Switches

特性 Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) 1.8-V gate drive voltage.

(3) Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

RDS(ON) = 42.0 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

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