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SSM3J135TU中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3J135TU规格书详情
描述 Description
Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国
特性 Features
Drain current ID -3 A
Power Dissipation PD 0.5 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-8 V
技术参数
- 制造商编号
:SSM3J135TU
- 生产厂家
:Toshiba
- Polarity
:P-ch
- VDSS(V)
:-20
- VGSS(V)
:+/-8
- ID(A)
:-3.0
- PD(W)
:0.5
- Ciss(pF)
:270
- Qg(nC)
:4.6
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
:0.26
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
:0.18
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
:0.132
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
:0.103
- Number of pins
:3
- Surface mount package
:Y
- Package name(Toshiba)
:UFM
- Generation
:U-MOSⅥ
- Width×Length×Height(mm)
:2.0 x 2.1 x 0.7
- Package Size(mm^2)
:4.20
- Drive voltage type
:Low Voltage Gate Drive
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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