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SSM3J112TU中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

SSM3J112TU

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-28 11:30:00

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SSM3J112TU规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Drain current ID -1.1 A
Power Dissipation PD 0.5 W
Drain-Source voltage VDSS -30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM3J112TU

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Package name(Toshiba)

    :UFM

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.0 x 2.1 x 0.7

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-30

  • ID(A)

    :-1.1

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.39

  • Tch(℃)

    :150

  • Drive voltage type

    :Logic-Level Gate Drive

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
23+
SOT-323
50000
只做原装正品
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