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SSH10N60A	文件：243.68 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 25 μA(Max.) @ VDS = 600V ■ Low RDS(ON) : 0.646 Ω(Typ.) 文件：243.68 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
SSH10N60B	文件：680.5 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：680.5 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
SSH101	文件：68.92 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP SURFACE MOUNT HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS 文件：68.92 Kbytes 页数：2 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
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详细参数

型号：
SSH10
功能描述：
MOSFET N-Ch/600V/10a/0.8Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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