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SGD02N60	文件：1.08647 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SGP02N60	文件：385.58 Kbytes Page：12 Pages	FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPD02N60	文件：86.47 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOPowerTransistor SIPMOS®PowerTransistor •N-Channel •Enhancementmode •Avalancherated	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SPU02N60	文件：251.9 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SSD02N60J	文件：281.25 Kbytes Page：3 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSM02N60P	文件：701.78 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SSQF02N60J	文件：254.04 Kbytes Page：3 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
UI02N60	文件：2.82515 Mbytes Page：5 Pages	N-Ch600VFastSwitchingMOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER

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