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SGD02N60中文资料PDF规格书

SGD02N60
厂商型号

SGD02N60

参数属性

SGD02N60 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 6A 30W TO252-3

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.08647 Mbytes

页面数量

9

生产厂商 VBsemi Electronics Co. Ltd
企业简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-25 20:00:00

产品属性

  • 产品编号:

    SGD02N60BUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,2A

  • 开关能量:

    64µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    20ns/259ns

  • 测试条件:

    400V,2A,118 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    PG-TO252-3-11

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 30W TO252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
NA/
3990
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Infineon/英飞凌
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PG-TO252-3
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TO2523
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PG-TO252-3
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原装正品
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INFINEON
2022+
SOT252
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INFINEON
23+
2A,600V,不带D
20000
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