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SKP02N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies. ·30% lower E off compared to previous generation\n ·Short circuit withstand time – 10μs\n ·Designed for operation above 30kHz\n ·High ruggedness, temperature stable behaviour\n ·Pb-free lead plating; RoHS compliant\n ·Qualified according to JEDEC for target applications;	Infineon 英飞凌	Infineon
SKP02N60	文件：397.15 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 文件：397.15 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKP02N60XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 30W TO220-3	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD02N60	文件：86.47 Kbytes Page：9 Pages	SIPMO Power Transistor SIPMOS® Power Transistor • N-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated 文件：86.47 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
SPU02N60	文件：86.47 Kbytes Page：9 Pages	SIPMO Power Transistor SIPMOS® Power Transistor • N-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated 文件：86.47 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
SPU02N60	文件：251.9 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC0) for target app 文件：251.9 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Switching Frequency min max：
10.0kHz 40.0kHz
Package ：
TO-220
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
2.9A
IC(@25°) max：
6.0A
ICpuls max：
12.0A
VCE(sat) ：
2.2V
Eon ：
0.05mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.04mJ
td(on) ：
20.0ns
tr ：
14.0ns
td(off) ：
287.0ns
tf ：
67.0ns
QGate ：
14.0nC
IF max：
6.0A
IFpuls max：
12.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
65.0nC
Irrm ：
1.9A
VCE max：
600.0V

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