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SKB02N60	文件：397.15 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB02N60	文件：1.15575 Mbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB02N60_07	文件：1.15575 Mbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB02N60ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 30W TO263-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB02N60E3266ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 30W TO263-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKP02N60	文件：397.15 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD02N60	文件：86.47 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOPowerTransistor SIPMOS®PowerTransistor •N-Channel •Enhancementmode •Avalancherated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SPU02N60	文件：86.47 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOPowerTransistor SIPMOS®PowerTransistor •N-Channel •Enhancementmode •Avalancherated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SPU02N60	文件：251.9 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SSD02N60J	文件：281.25 Kbytes Page：3 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
SKB02N60
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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