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SKB02N60	文件：397.15 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SKB02N60ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 30W TO263-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKB02N60E3266ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 30W TO263-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
02N60H	文件：1.70191 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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02N60P	文件：701.78 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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AP02N60H	文件：61.91 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AP02N60H-H	文件：252.12 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AP02N60I	文件：86.36 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AP02N60J	文件：61.91 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER

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详细参数

型号：
SKB02N60
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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