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449	文件：197.95 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
ARF449A	文件：52.4 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODERFPOWERMOSFETs TheARF449AandARF449BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpush-pullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto120MHz. •Specified150Volt,81.36MHzCharacteristics: •OutputPower=90Watts. •Gain	ADPOW Advanced Power Technology
ARF449B	文件：52.4 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODERFPOWERMOSFETs TheARF449AandARF449BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpush-pullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto120MHz. •Specified150Volt,81.36MHzCharacteristics: •OutputPower=90Watts. •Gain	ADPOW Advanced Power Technology
BC449	文件：77.45 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC449A	文件：77.45 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD449	文件：183.67 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONEPIBASETRANSISTORS PNPSiliconEpibaseTransistors	SIEMENS Siemens Ltd
CLC449	文件：748.45 Kbytes Page：12 Pages	1.1GHzUltra-WidebandMonolithicOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
CLC449AJE	文件：748.45 Kbytes Page：12 Pages	1.1GHzUltra-WidebandMonolithicOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
CLC449AJP	文件：748.45 Kbytes Page：12 Pages	1.1GHzUltra-WidebandMonolithicOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
CLC449AMC	文件：748.45 Kbytes Page：12 Pages	1.1GHzUltra-WidebandMonolithicOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
CO-449	文件：109.02 Kbytes Page：2 Pages	ACMOSandFCTClockOscillators Features: ■Frequenciesfrom5MHzto200MHz ■LowProfile4PinDip ■10K,10KH,100K,ECLinPS,10E/ELand100E/ELLogic ■CO431AvailableasQPLtoMIL-0-55310/25B	Vectron VECTRON
CSR449	文件：153.25 Kbytes Page：2 Pages	CSRReverseConductingThyristors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
DG449	文件：150.87 Kbytes Page：9 Pages	HighVoltageSingleSPDTAnalogSwitchinSOT23-8 DESCRIPTION TheDG449isadualsupplysingle-pole/double-throw(SPDT)switches.Onresistanceis38Ωandflatnessis2.6Ωmaxoverthespecifiedanalogsignalrange.Theseanalogswitchesweredesignedtoprovidehighspeed,lowerrorswitchingofprecisionanalogsignals. FEATURES •±15V	VishayVishay Siliconix 威世科技
DG449	文件：164.31 Kbytes Page：10 Pages	HighVoltageSingleSPDTAnalogSwitchinSOT23-8	VishayVishay Siliconix 威世科技
DG449	文件：168.81 Kbytes Page：10 Pages	HighVoltageSingleSPDTAnalogSwitchinSOT23-8 FEATURES •±15Vanalogsignalrange •On-resistance-RDS(on):38max. •VLlogicsupplynotrequired •TTLCMOSinputcompatible •Railtorailsignalhandling •Dualorsinglesupplyoperation BENEFITS •Widedynamicrange •Lowsignalerrorsanddistortion •Break-before-makesw	VishayVishay Siliconix 威世科技
FMMT449	文件：1.36857 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowEquivalentOn-Resistance	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
FMMT449	文件：365.68 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowEquivalentOn-Resistance MARKING:449	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
FMMT449	文件：239.86 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThermalResistanceFromJunctionToAmbient:625°C/W •Collectorcurrent:Ic=1A •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
FMMT449	文件：124.08 Kbytes Page：5 Pages	NPNLowSaturationTransistor NPNLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2Acontinuous.SourcedfromProcessNB.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FMMT449	文件：115.95 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES *Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)250mΩat1A COMPLEMENTARYTYPE-FMMT549 PARTMARKINGDETAIL-449	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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更多SS449E供应商更新时间2024-4-28 8:00:00

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