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FMMT449	文件：115.95 Kbytes Page：2 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * Low equivalent on-resistance; RCE(sat) 250mΩ at 1A COMPLEMENTARY TYPE - FMMT549 PARTMARKING DETAIL - 449 文件：115.95 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT449	文件：239.86 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Planar High Performance Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Thermal Resistance From Junction To Ambient:625 °C/W • Collector current: Ic=1A • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rati 文件：239.86 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
FMMT449	文件：195.66 Kbytes Page：4 Pages	丝印：449；Package：SOT-23；NPN Silicon Planar Medium Power Transistor FEATURES ● Low equivalent on-resistance,RCE(sat): 250mΩ at 1A. ● Complementary To FMMT549. APPLICATIONS ● NPN silicon planar medium power transistor. 文件：195.66 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
FMMT449	文件：365.68 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low Equivalent On-Resistance MARKING: 449 文件：365.68 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
FMMT449	文件：36.3 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor Features ● Low equivalent on-resistance. 文件：36.3 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FMMT449	文件：1.36857 Mbytes Page：3 Pages	丝印：449；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Equivalent On-Resistance 文件：1.36857 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
FMMT449	文件：120.21 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * Low equivalent on-resistance; RCE(sat) 250mΩ at 1A COMPLEMENTARY TYPE - FMMT549 PARTMARKING DETAIL - 449 文件：120.21 Kbytes 页数：2 Pages	Zetex	Zetex
FMMT449	文件：194.98 Kbytes Page：6 Pages	NPN Low Saturation Transistor NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Sourced from Process NB. 文件：194.98 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMMT449	文件：124.08 Kbytes Page：5 Pages	NPN Low Saturation Transistor NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Sourced from Process NB. 文件：124.08 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FMMT449	文件：115.95 Kbytes Page：2 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * Low equivalent on-resistance; RCE(sat) 250mΩ at 1A COMPLEMENTARY TYPE - FMMT549 PARTMARKING DETAIL - 449 文件：115.95 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
FMMT449
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 30V 1A SOT23-3

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更多FMMT449供应商更新时间2025-10-11 18:11:00

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