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BAV19R0

HighVoltageSwitchingDiode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

BAV19R0G

HighVoltageSwitchingDiode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

PMPB19R0UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFETtechnology •Small

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安世安世半导体(中国)有限公司

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更多SRT19R0供应商 更新时间2024-4-28 15:18:00