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SPD30N03S2L-20G	文件：1.01939 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.01939 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD30N03S2L-20G	文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level 文件：687.74 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPD30N03S2L-20G	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD30N03S2L-20	文件：157.77 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：157.77 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPD30N03S2L-20	文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level 文件：687.74 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPD30N03S2L-20	文件：261.529 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：261.529 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

更多SPD30N03S2L-20G供应商更新时间2026-10-2 8:01:00