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SPD30P06PG	文件：828 Kbytes Page：9 Pages	-60V P-Channel MOSFET Features ·P-Channel ·Enhancementmode ·Avalancherated ·dv/dtrated ·175°Coperatingtemperature	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
SPD30P06PG	文件：557.33 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD30P06PG	文件：1.0041 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30P06	文件：971.54 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MSD30P06	文件：544.27 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MTB30P06	文件：247.61 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTS TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB30P06KFP	文件：414.85 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTB30P06V	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06V	文件：247.61 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTS TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB30P06V	文件：87.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06VG	文件：87.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06VG	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTBV30P06V	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP30P06	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP30P06V	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP30P06V	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP30P06V	文件：941.45 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP30P06VG	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCE30P06J	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P06Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-6.5A RDS(ON	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
RFG30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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详细参数

型号：
SPD30P06PG
制造商：
Infineon Technologies AG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SPD30P06PG供应商更新时间2024-5-16 14:10:00

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