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SPD30P06P	文件：112.17 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：112.17 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30P06P	文件：557.33 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated 文件：557.33 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30P06P	文件：308.62 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：308.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPD30P06PG	文件：828 Kbytes Page：9 Pages	-60V P-Channel MOSFET Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv/dt rated · 175°C operating temperature 文件：828 Kbytes 页数：9 Pages	UMW 友台半导体	UMW
SPD30P06P_08	文件：557.33 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated 文件：557.33 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30P06PG	文件：1.0041 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.0041 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD30P06PG	文件：557.33 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated 文件：557.33 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30P06P	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power-Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30P06P G	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
SPD30P06PGBTMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-TO252-3
VDS max：
-60 V
RDS (on) @10V max：
75 mΩ
ID @25°C max：
-30 A
QG typ @10V：
32 nC
VGS(th) min：
-2.1 V
VGS(th) max：
-4 V
Technology：
SIPMOS™

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