| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SPD30P06P | SIPMOS Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
SPD30P06P | SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
SPD30P06P | Marking：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
-60V P-Channel MOSFET Features ·P-Channel ·Enhancementmode ·Avalancherated ·dv/dtrated ·175°Coperatingtemperature | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 | UMW | ||
SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
P-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI |
详细参数
- 型号：
SPD30P06P
- 功能描述：
MOSFET P-CH -60 V -30 A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
11048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
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TO-252 |
18961 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-252 |
17170 |
原装进口假一罚十 |
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INFINEON |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原装正品现货 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-252 |
2500 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEON |
2024+ |
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INFINEO |
2016+ |
TO-252 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
INFINEON |
2020+ |
TO-252 |
25000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 |
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