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BZW04P10	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
BZW04P10	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZW04P10	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO
BZW04P10	文件：51.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:400Watts FEATURES: 400Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZW04P10A	文件：1.02949 Mbytes Page：6 Pages	400WattsAxialLeadedTransientVoltageSuppressor VOLTAGERANGE:5.8-376VPOWER:400Watts Features ●ConstructedwithGlassPassivatedDie ●UniandBidirectionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZW04P10B	文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package •400Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Lowincrementalsurgeresistance •Excellentclampingcapability	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
BZW04P10B	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04P10B	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO
BZW04P10B	文件：195.74 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORVOLTAGE-6.8to440Volts400WattsPeak1.0WattSteadyStae VOLTAGE-6.8to440Volts400WattsPeak1.0WattSteadyStae FEATURES ■Plasticpackage ■GlasspassivatedchipjunctioninDO-41Package ■400Wsurgecapabilityat10/1000µswavefromExcellentclampingcapability ■Lowzenerimpedance ■Fastresponsetime:typicallylesst	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO
BZW04P10B	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE

详细参数

型号：
SPD04P10PG
制造商：
Rochester Electronics LLC
制造商：
Infineon Technologies AG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市昂芯微科技有限公司	SPD04P10PG	INFINEON	23+	TO252	6996	只做原装正品现货	询价
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深圳市一线半导体有限公司	SPD04P10PG	INFINEON	24+	PG-TO252-3	8866		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	SPD04P10PG	INF	23+	TO-252	10000	原装正品,假一罚十	询价
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更多SPD04P10PG供应商更新时间2025-5-5 14:04:00

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