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深圳市维尔达电子有限公司

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GENERALSEMIC

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深圳市永贝尔科技有限公司

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DBLECTRO原厂原包

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深圳市安富世纪电子有限公司

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GENERALSEMIC原厂正规渠道

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北京天阳诚业科贸有限公司

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瞬态抑制二极管

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BZW04P10B制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

BZW04P10B/1功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 7% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

BZW04P10B/4功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 7% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

BZW04P10B/54功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

BZW04P10B-E3/1功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 7% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

BZW04P10B-E3/4功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

BZW04P10B-E3/51功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

BZW04P10B-E3/54功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

BZW04P10B-E3/73功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

BZW04P10BHE3/54功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 7% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C