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SPD07N60C3	文件：336.64 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD07N60C3	文件：287.66 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS Power Transistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;Rohscom	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD07N60C3	文件：980.68 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD07N60C3	文件：953.21 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPI07N60C3	文件：374.19 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) •Pb-freeleadplating;RoHScomplian	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPI07N60C3	文件：625.63 Kbytes Page：15 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPI07N60C3	文件：1.30229 Mbytes Page：15 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatecharge	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPD07N60C3
功能描述：
MOSFET MOSFET N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SPD07N60C3供应商更新时间2025-5-4 14:04:00

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