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02N50C3	文件：1.67675 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISPD02N50C3	文件：335.21 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SPD02N50C3	文件：1.07867 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD02N50C3	文件：267.56 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD02N50C3	文件：635.61 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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更多SPD02N50C3MOS(场效应管)供应商更新时间2024-5-21 15:35:00

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