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SPD02N50C3	文件：335.21 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
SPD02N50C3	文件：1.07867 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
SPD02N50C3	文件：267.56 Kbytes Page：11 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SPD02N50C3	文件：635.61 Kbytes Page：11 Pages	Cool MOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SPD02N50C3_08	文件：635.61 Kbytes Page：11 Pages	Cool MOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
02N50C3	文件：1.67675 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
ISPD02N50C3	文件：335.21 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
SPD02N50C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 560V 1.8A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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