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SPD02N50C3中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

SPD02N50C3

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.07867 Mbytes

页面数量

9

生产厂商

VBSEMI

中文名称

微碧半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-17 16:33:00

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SPD02N50C3规格书详情

FEATURES

• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

产品属性

  • 型号:

    SPD02N50C3

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS N-CH 560V 1.8A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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