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SPD02N50C3规格书详情
• DESCRITION
• Improved transconductance
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤3Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号:
SPD02N50C3
- 功能描述:
MOSFET COOL MOS N-CH 560V 1.8A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
11+ |
TO-252 |
76 |
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INFINEON/英飞凌 |
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DPACK |
990000 |
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INF |
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infineon |
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TO-252 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO252-3 |
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INFIINION |
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DPACK |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON |
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TO252-3 |
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Infineon(英飞凌) |
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