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SN75372DR集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

SN75372DR

参数属性

SN75372DR 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

DUAL MOSFET DRIVER
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

丝印标识

75372

封装外壳

SOIC / 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

656.7 Kbytes

页面数量

21

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

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更新时间

2026-4-9 10:39:00

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SN75372DR规格书详情

SN75372DR属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由德州仪器制造生产的SN75372DR栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

• Dual Circuits Capable of Driving

High-Capacitance Loads at High Speeds

• Output Supply Voltage Range up to 24 V

• Low Standby Power Dissipation

description

The SN75372 is a dual NAND gate interface

circuit designed to drive power MOSFETs from

TTL inputs. It provides high current and voltage

levels necessary to drive large capacitive loads at

high speeds. The device operates from a VCC1 of

5 V and a VCC2 of up to 24 V.

The SN75372 is characterized for operation from

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SN75372DR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.75V ~ 5.25V,4.75V ~ 24V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    500mA,500mA

  • 输入类型:

    反相

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
25+
SOIC (D)
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