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SN75372DR	文件：656.7 Kbytes Page：21 Pages	丝印：75372；Package：SOIC；DUAL MOSFET DRIVER • Dual Circuits Capable of Driving High-Capacitance Loads at High Speeds • Output Supply Voltage Range up to 24 V • Low Standby Power Dissipation description The SN75372 is a dual NAND gate interface circuit designed to drive power MOSFETs from TTL inputs. It provides high current and vol 文件：656.7 Kbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
SN75372DR	文件：624.28 Kbytes Page：21 Pages	丝印：75372；Package：SOIC；DUAL MOSFET DRIVER Dual Circuits Capable of Driving High-Capacitance Loads at High Speeds Output Supply Voltage Range up to 24 V Low Standby Power Dissipation description The SN75372 is a dual NAND gate interface circuit designed to drive power MOSFETs from TTL inputs. It provides high current and voltage 文件：624.28 Kbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
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SN75372DR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	TI2 德州仪器	TI2

产品属性

产品编号：
SN75372DR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
500mA，500mA
输入类型：
反相
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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