SN75372D集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SN75372D |
| 参数属性 | SN75372D 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
| 功能描述 | DUAL MOSFET DRIVER |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOIC / 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
624.28 Kbytes |
| 页面数量 |
21 页 |
| 生产厂商 | TI |
| 中文名称 | 德州仪器 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-16 18:00:00 |
| 人工找货 | SN75372D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SN75372D规格书详情
Dual Circuits Capable of Driving
High-Capacitance Loads at High Speeds
Output Supply Voltage Range up to 24 V
Low Standby Power Dissipation
description
The SN75372 is a dual NAND gate interface
circuit designed to drive power MOSFETs from
TTL inputs. It provides high current and voltage
levels necessary to drive large capacitive loads at
high speeds. The device operates from a VCC1 of
5 V and a VCC2 of up to 24 V.
The SN75372 is characterized for operation from
0°C to 70°C.
产品属性
- 产品编号：
SN75372D
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
500mA，500mA
- 输入类型：
反相
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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