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SN75372集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

SN75372
厂商型号

SN75372

参数属性

SN75372 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

DUAL MOSFET DRIVER

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

656.7 Kbytes

页面数量

21

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:58:00

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SN75372规格书详情

• Dual Circuits Capable of Driving

High-Capacitance Loads at High Speeds

• Output Supply Voltage Range up to 24 V

• Low Standby Power Dissipation

description

The SN75372 is a dual NAND gate interface

circuit designed to drive power MOSFETs from

TTL inputs. It provides high current and voltage

levels necessary to drive large capacitive loads at

high speeds. The device operates from a VCC1 of

5 V and a VCC2 of up to 24 V.

The SN75372 is characterized for operation from

产品属性

  • 产品编号:

    SN75372DR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.75V ~ 5.25V,4.75V ~ 24V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    500mA,500mA

  • 输入类型:

    反相

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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