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SIR401DP_V01

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:361.38 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR401DP-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:361.38 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR402DP

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:125.1 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR402DP

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:495.1 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR402DP

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:326.73 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR402DP_09

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:495.1 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR402DP-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:495.1 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR403EDP

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:365.4 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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SIR404DP

丝印:R404;Package:PowerPAKSO-8;N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:511.43 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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SIR404DP

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:361.3 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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技术参数

  • Package:

    PowerPAK SO-8

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    100

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.033

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0295

  • Qg @4.5V (nC):

    8.8

  • Qg @10V (nC):

    19.5

  • Qgs (nC):

    4.5

  • Qgd (nC):

    1.8

  • ID Max. (A):

    25.7

  • PD Max. (W):

    43

  • VGS(th) Min. (V):

    1

  • Rg Typ. (Ω):

    0.9

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更多SIR4供应商 更新时间2026-1-30 9:31:00