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SIR4	文件：269.62 Kbytes Page：1 Pages	SIR 4 Series	ELESTA ELESTA GmbH	ELESTA
SIR402DP	文件：327.65 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SynchronousRectification •DC/DCPoint-of-Load •Server	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR402DP_V01	文件：327.65 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SynchronousRectification •DC/DCPoint-of-Load •Server	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR403EDP	文件：391.02 Kbytes Page：13 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •ExtendedVGSrange(±25V)foradaptor switchapplications •ExtremelylowRDS(on) •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •TypicalESDperformance:4000V(HBM) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICAT	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR403EDP_V01	文件：391.02 Kbytes Page：13 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •ExtendedVGSrange(±25V)foradaptor switchapplications •ExtremelylowRDS(on) •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •TypicalESDperformance:4000V(HBM) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICAT	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR410DP	文件：374.58 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •DC/DCconverter -Notebook -POL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR410DP_V01	文件：374.58 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •DC/DCconverter -Notebook -POL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR414DP_V02	文件：366.71 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Synchronousrectification •SecondarysideDC/DC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR418DP	文件：329.24 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •QgOptimized •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConversion •Industrial	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR418DP_V01	文件：329.24 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •QgOptimized •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConversion •Industrial	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SIR4
功能描述：
MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SIR4供应商更新时间2025-5-21 15:45:00

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