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SIR4	文件：269.62 Kbytes Page：1 Pages	SIR 4 Series 文件：269.62 Kbytes 页数：1 Pages	ELESTA	ELESTA
SIR402DP	文件：327.65 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Rectification • DC/DC Point-of-Load • Server 文件：327.65 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIR402DP_V01	文件：327.65 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Rectification • DC/DC Point-of-Load • Server 文件：327.65 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIR403EDP	文件：391.02 Kbytes Page：13 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Extended VGS range (± 25 V) for adaptor switch applications • Extremely low RDS(on) • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Typical ESD performance: 4000 V (HBM) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICAT 文件：391.02 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIR403EDP_V01	文件：391.02 Kbytes Page：13 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Extended VGS range (± 25 V) for adaptor switch applications • Extremely low RDS(on) • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Typical ESD performance: 4000 V (HBM) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICAT 文件：391.02 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIR410DP	文件：374.58 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • DC/DC converter - Notebook - POL 文件：374.58 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIR410DP_V01	文件：374.58 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • DC/DC converter - Notebook - POL 文件：374.58 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIR414DP_V02	文件：366.71 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Synchronous rectification • Secondary side DC/DC 文件：366.71 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIR418DP	文件：329.24 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Qg Optimized • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Conversion • Industrial 文件：329.24 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIR418DP_V01	文件：329.24 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Qg Optimized • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Conversion • Industrial 文件：329.24 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

Package：
PowerPAK SO-8
Ch：
N
VDS (V)：
100
VGS (V)：
20
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.033
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0295
Qg @4.5V (nC)：
8.8
Qg @10V (nC)：
19.5
Qgs (nC)：
4.5
Qgd (nC)：
1.8
ID Max. (A)：
25.7
PD Max. (W)：
43
VGS(th) Min. (V)：
1
Rg Typ. (Ω)：
0.9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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