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SIR403EDP	文件：391.02 Kbytes Page：13 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Extended VGS range (± 25 V) for adaptor switch applications • Extremely low RDS(on) • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Typical ESD performance: 4000 V (HBM) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICAT 文件：391.02 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIR403EDP	文件：365.4 Kbytes Page：13 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：365.4 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIR403EDP_V01	文件：391.02 Kbytes Page：13 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Extended VGS range (± 25 V) for adaptor switch applications • Extremely low RDS(on) • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Typical ESD performance: 4000 V (HBM) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICAT 文件：391.02 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SiR403EDP	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay

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