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SIR403EDP_V01

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Extended VGS range (± 25 V) for adaptor switch applications • Extremely low RDS(on) • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Typical ESD performance: 4000 V (HBM) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICAT

文件:391.02 Kbytes 页数:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SIR416DP-T1-GE3

Vishay
PowerPAK-SO-8

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市金嘉锐电子有限公司

SiR422DP-T1-GE3

VISHAY
SO-8

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市纽联电子有限公司

SIR422DP-T1-GE3

VISHAY/威世
PAKSO-8

VISHAY/威世

SIR426DP-T1-GE3

NK/南科功率
DFN5X6

NK/南科功率

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Vishay Siliconix
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更多SIR403EDP_V01供应商 更新时间2025-10-6 13:01:00